Edward H. Sargent est un pionnier dans le domaine des nanotechnologies. Ses recherches portent notamment sur l’utilisation de nanocristaux semiconducteurs appelés points quantiques colloïdaux, ou cQD. Ses connaissances sur la chimie fondamentale de la synthèse des cQD, combinées à une compréhension considérable de leurs propriétés électriques à l’échelle des nanomètres, lui ont permis d’assembler, sur les plans atomique et moléculaire, des matériaux photovoltaïques nouveaux, dotés de propriétés que l’on ne trouve pas dans le monde naturel.
Edward Sargent est professeur d’université et titulaire de la chaire de recherche du Canada en nanotechnologie au Département de génie électrique et informatique Edward S. Rogers Sr. à l’Université de Toronto.
Son travail lui a valu le Prix Brockhouse Canada du CRSNG (de pair avec Shana Kelley) en recherche interdisciplinaire et en génie. Il est membre de la Société royale du Canada au sein du Département de sciences mathématiques et physique, de l’Académie canadienne du génie, de l’Institut des ingénieurs électriciens et électroniciens ainsi que de l’Association américaine pour l’avancement des sciences. En 2012, il a reçu le Prix Steacie pour sa recherche novatrice dans le domaine de la technologie des cellules solaires.
Le travail d’Edward Sargent a non seulement eu un impact majeur dans le domaine, mais il a également inspiré une vaste communauté de chercheurs de même que de nombreuses applications industrielles. L’utilisation des nouveaux matériaux qu’il a créés a conduit au développement de multiples dispositifs optoélectroniques améliorés, tels que des dispositifs de détection infrarouge et des instruments de diagnostic médical. En augmentant considérablement l’efficacité de la technologie des panneaux solaires, il a de plus grandement contribué au développement de l’une des technologies énergétiques propres les plus remarquables au monde.
(photo: Business Portraits)
Bien que la vidéo ci-dessous soit en anglais, TheFutureEconomy.ca offre le texte de l’entrevue en français ici.
